黄维院士课题组在《自然•通讯》上发表室温下二维半导体激活的垂直腔面发射激光器新进展

发布者:材料科学与工程学院、信息科学与纳米技术研究院 发布时间:2017-11-09浏览次数:577

2010年以来,以二维过渡金属硫/硒族化合物为代表的新兴二维半导体材料正在引起科学界越来越多的关注。当前,先进的半导体激光器件有许多非常有前景的实际应用,例如光纤通讯、光存储、照明、显示、工业和科研上使用的激光光谱仪。特别地,未来以半导体激光器支撑的光计算和光互联可以广泛地应用于领先的信息化领域,如大数据,云计算和人工智能。技术上,通过挑选新的发光材料或优化器件结构来开发新性能的激光器件是非常有意义的。

在这里,信息材料与纳米技术研究院黄维院士和新加坡南洋理工大学于霆教授的合作团队采用二维半导体材料作为增益介质并利用超薄的垂直谐振腔结构,在光泵下实现了室温低阈值连续的激光发射。技术上,二维半导体材料原子级平坦的特性以及易于制备和转移的优势使得二维半导体激活的垂直腔面发射激光器制备与当前成熟的半导体单片集成工艺非常兼容,因此,这类器件的实用化生产是非常值得期待的。这个工作推进了当前新兴二维半导体材料在现实光电领域的应用。该工作近期发表在自然通讯(Nature Communications 8, 543, 2017


  

文章链接:https://www.nature.com/articles/s41467-017-00743-w

文章原文:Nature Commum-Room-temperature 2Dsemiconductor activated vertical-cavity surface-emitting lasers-HW.pdf