华东师范大学陈时友研究员学术报告通知

发布者:材料科学与工程学院、信息科学与纳米技术研究院 发布时间:2019-06-20浏览次数:18

报告题目:多元、低对称性半导体光伏材料的计算研究

报 告 人:陈时友研究员

单   位华东师范大学信息学院光电系、极化材料与器件教育部重点实验室

报告时间:2019年53014:30

报告地点:材料学科楼4楼413大会议室

 


报告摘要:

一元和二元化合物半导体及其合金,如IVSiGeIII-VGaAsGaNII-VIZnOCdTe等,具有较高的晶体对称性,目前已在电子和光电器件中广泛应用。除此之外,自然界中还存在大量三元、四元化合物半导体,其元素组分和晶格结构的自由度更多,为性质的调控提供了巨大的空间,可能在未来有广泛应用。例如I2-II-IV-VI4族四元半导体,种类多达数千种,可能在光电、热电、光催化、非线性光学等领域有广泛应用。但是,由于多元半导体材料的实验制备更困难,组分和晶格结构变化的可能性更多,对称性更低,缺陷和杂相也更容易产生,导致基本物性的精确表征和调控更加困难,制约了其在功能器件中的应用。基于密度泛函理论的第一性原理计算模拟为研究这些复杂的多元半导体体系提供了强大、高效的工具。本报告中我将介绍近年来我们在多元、低对称性化合物半导体及其合金的晶体结构、电子能带、缺陷和杂质、表面和界面等性质研究方面的进展,并结合相关的实验进展,讨论如何通过计算模拟,设计新型光伏半导体,促进Cu2ZnSn(S,Se)4Sb2(S,Se)3等薄膜太阳能电池的性能提升。


报告人简介:

陈时友,华东师范大学信息科学技术学院光电科学与工程系、极化材料与器件教育部重点实验室研究员。20096月获复旦大学理学博士学位,随后到华东师范大学工作;2011年至2013年,到美国劳伦斯-伯克利国家实验室材料学部从事博士后研究。主要从事半导体材料和器件的计算模拟和理论设计研究,包括多元化合物半导体、缺陷和杂质物理、薄膜太阳能电池、辐照损伤等方面。在PRLAMJACS等期刊发表论文110余篇,SCI引用6000余次。曾获国家自然科学基金优秀青年基金、中组部万人计划青年拔尖人才、上海市青年优秀学术带头人等项目资助。现担任半导体学报、Computational Materials Sciences等期刊编委,中国材料研究学会计算材料学分会委员。